意法半导体请求用于具有别离栅极装备的沟槽功率MOSFET的栅极触摸结构专利供给触摸

  金融界2024年12月5日音讯，国家知识产权局信息数据显现，意法半导体世界公司请求一项名为“用于具有别离栅极装备的沟槽功率MOSFET的栅极触摸结构”的专利，揭露号CN 119069525 A，请求日期为2024年5月。

  专利摘要显现，本揭露触及用于具有别离栅极装备的沟槽功率MOSFET的栅极触摸结构。集成电路晶体管器材包含供给漏极的半导体衬底、半导体衬底中的供给源极的榜首掺杂区域和掩埋在半导体衬底中的供给主体的第二掺杂区域。沟槽延伸到半导体衬底中并穿过榜首和第二掺杂区域。沟槽内的绝缘多晶硅栅极区域环绕多晶氧化物区域。多晶硅栅极区域由多晶氧化物区域相对侧上的榜首栅极凸角和第二栅极凸角以及多晶氧化物区域上的栅极桥构成。在榜首区域，栅极桥具有榜首厚度，在第二区域，栅极桥具有第二厚度(大于榜首厚度)。在第二区域处，在每个沟槽处供给栅极触摸以部分地延伸到栅极桥的第二厚度中。