北方华创请求构成沟槽办法及半导体工艺设备专利能使方针沟槽出现润滑接连的U型描摹

  金融界2024年12月26日音讯，国家知识产权局信息数据显现，北京北方华创微电子配备有限公司请求一项名为“一种构成沟槽的办法及半导体工艺设备”的专利，公开号 CN 119181642 A，请求日期为2024年9月。

  专利摘要显现，本发明公开了一种构成沟槽的办法及半导体工艺设备，其间，所述构成沟槽的办法经过供给待刻蚀方针，待刻蚀方针包含鳍形结构和横跨鳍形结构的多个栅极结构，在榜首刻蚀步中使用榜首工艺气体将鳍形结构中的预订区域刻蚀至预订深度，以及在第二刻蚀步中使用榜首工艺气体将预订区域由预订深度刻蚀至方针深度以构成方针沟槽，其间，履行第二刻蚀步时的刻蚀温度大于履行榜首刻蚀步时的刻蚀温度，由此，在方针沟槽的刻蚀过程中，可以在确保方针沟槽的刻蚀速率以及下降对待刻蚀方针中栅极结构的侧墙的损坏程度的前提下有用铲除方针沟槽的内壁堆积的副产物，使得方针沟槽可以出现润滑接连的U型描摹。